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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS86150
FDMS86150 PDF预览

FDMS86150

更新时间： 2024-11-13 12:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 324K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 60 A, 4.85 mΩ

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FDMS86150 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.67
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：726 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.00485 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：156 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMS86150 数据手册

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October 2012  
FDMS86150  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100 V, 60 A, 4.85 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
„ Max rDS(on) = 4.85 mΩ at VGS = 10 V, ID = 16 A  
„ Max rDS(on) = 7.8 mΩ at VGS = 6 V, ID = 13 A  
„ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)  
and high efficiency  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL tested  
Applications  
„ Primary DC-DC MOSFET  
„ Secondary Synchronous Rectifier  
„ Load Switch  
„ RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
Pin 1  
S
S
D
D
D
D
S
Pin 1  
S
G
S
S
G
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
100  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
V
V
±20  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
60  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
16  
A
-Pulsed  
300  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
726  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
156  
PD  
Power Dissipation  
2.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
0.8  
45  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS86150  
FDMS86150  
Power 56  
3000 units  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS86150 Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
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FDMS86150 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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