FDMS86101DC

更新时间： 2024-09-25 12:27:43

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 PC
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DUAL COOLâ¢ PACKAGE POWERTRENCHÂ® MOSFETs

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FDMS86101DC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 56, QFN-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1123650	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	PQFN8 5X6, 1.27P CASE 483BK ISSUE O	Samacsys Released Date：	2019-08-22 12:31:26
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	216 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A
最大漏极电流 (ID)：	14.5 A	最大漏源导通电阻：	0.0075 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-240AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMS86101DC 数据手册

DUAL COOL^™PACKAGE POWERTRENCH^®MOSFETs

Dual Cool^™packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is

the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance ﬂexibility. With enhanced dual

path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predecessors, the use of a heat sink with

Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. Test results prove that, when a heat sink

is used with our Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and

increased power density. With Fairchild’s trench silicon technology, Dual Cool packaging technology proves to be a

clear leader in power density and thermal performance. Our Dual Cool package solutions are lead free and RoHS

compliant and are available in 3.3 mm x 3.3 mm and 5 mm x 6 mm PQFN packages.

Features

•ꢀ Top-side cooling, lower thermal resistance from

Bottom

Top

junction to top

3.3 mm x 3.3 mm

5 mm x 6 mm

•ꢀ Same land pattern as 5 mm x 6 mm and

3.3 mm x 3.3 mm PQFN – JEDEC standard

•ꢀ Allows higher current and power dissipation

•ꢀ Highest power density for DC-DC applications

•ꢀ Use with or without a heat sink, reduces the

number of qualiﬁed components in the BOM

Maximum Power Dissipation

•ꢀ Multiple suppliers without cross licensing

Capable of >60% Better Thermal Performance

requirements

•ꢀ High degree of production commonality with

Dual Cool Package

standard PQFN packaging

3.3mm x 3.3mm

Air Flow =

200LFM

•ꢀ 25 V - 150 V portfolio

Standard PQFN

No Air Flow

3.3mm x 3.3mm

Applications

•ꢀ Point-of-load (POL) synchronous-buck conversion

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

•ꢀ Servers

Power Loss (W) T_JMax. = 90°C, T_a=50°C

•ꢀ Telecommunications, routing and switching

•ꢀ Heat path from top only

5mm x 6mm Package

Q_JA(°C/W)

(%) Improvement from Wire Package

Interconnect

PQFN Wire

PQFN Clip

27.1

23.8

17.2

13.9

57.5

Dual Cool Package

Environment: Minimum Pad, Heat Sink, 200LFM Forced Air

fairchildsemi.com

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FDMS86101DC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDMS86101A	ONSEMI	功能相似	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，60A，8mΩ
CSD19531Q5A	TI	功能相似	100V N-Channel NexFET Power MOSFETs

与FDMS86101DC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMS86102LZ	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET 100 V, 22 A,
FDMS86102LZ	ONSEMI	获取价格	N 沟道屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 100 V，22A，25mΩ
FDMS86103L	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDMS86103L	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，81A，8mΩ
FDMS86104	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 100 V, 16 A, 2
FDMS86104	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，16A，24mΩ
FDMS86105	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100V，26A，34mΩ
FDMS86105	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 26A, 34milliohm
FDMS86150	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrenchÂ® MOSFET 100 V, 60 A, 4
FDMS86150	ONSEMI	获取价格	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，80A，4.85m

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