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FDMS86152 PDF预览

FDMS86152

更新时间： 2024-09-25 21:15:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
7页 227K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA, ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN

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FDMS86152 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：541 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.006 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240AAJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：260 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS86152 数据手册

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February 2013  
FDMS86152  
N-Channel PowerTrench® MOSFET  
100 V, 45 A, 6 mΩ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor‘s advanced Power Trench® process thant has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
„ Max rDS(on) = 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14 A  
„ Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 6 V, ID = 11.5 A  
„ Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on)  
and high efficiency  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL tested  
Applications  
„ Primary DC-DC MOSFET  
„ Secondary Synchronous Rectifier  
„ Load Switch  
„ RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
Pin 1  
S
S
D
D
D
D
S
S
S
Pin 1  
G
S
D
D
D
D
G
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
100  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Continuous  
V
V
±20  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
45  
ID  
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
14  
A
-Pulsed  
260  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
541  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
125  
PD  
Power Dissipation  
2.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
1.0  
45  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS86152  
FDMS86152  
Power 56  
3000 units  
©2013 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS86152 Rev.C  
1
www.fairchildsemi.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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