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FDMC86102_12

更新时间： 2022-04-07 14:42:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
7页	283K
描述
N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET 100 V, 20 A, 24 mÎ©

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FDMC86102_12 数据手册

Typical Characteristics T_J= 25 °C unless otherwise noted

DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

P_DM

t₁

0.01

0.001

t₂

NOTES:

DUTY FACTOR: D = t₁/t₂

SINGLE PULSE

_θJA= 125 ^oC/W

PEAK T_J= P_DMx Z_θJAx R_θJA+ T_A

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)

100

1000

Figure 13. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve

www.fairchildsemi.com

FDMC86102 Rev.C1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMC86102L	FAIRCHILD	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
FDMC86102L	ONSEMI	100V N 沟道 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET	获取价格
FDMC86102LZ	FAIRCHILD	N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET	获取价格
FDMC86102LZ	ONSEMI	N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ	获取价格
FDMC86106LZ	FAIRCHILD	N-Channel Power TrenchÂ® MOSFET 100 V, 7.5 A,	获取价格
FDMC86106LZ_13	FAIRCHILD	N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 10	获取价格