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FDMC8327L

更新时间： 2024-02-04 14:46:06

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FDMC8327L 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	0.96
雪崩能效等级（Eas）：	25 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	12 A
最大漏源导通电阻：	0.0097 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-240BA	JESD-30 代码：	S-PDSO-N5
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

Typical Characteristics T_J= 25 °C unless otherwise noted

DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.1

0.02

0.01

SINGLE PULSE

_θJA= 125 ^oC/W

0.01

NOTES:

DUTY FACTOR: D = t /t

PEAK T = P

x Z

x R

+ T

θJA

θJA A

0.001

10^-3

10^-2

10^-1

t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)

100

1000

Figure 13. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve

FDMC8327L Rev.C2

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDMC8360L	FAIRCHILD	N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m	获取价格
FDMC8360L	ONSEMI	N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，80A，2.1mΩ	获取价格
FDMC8360LET40	ONSEMI	N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 40V，141A，2.1mΩ	获取价格
FDMC8462	FAIRCHILD	N-Channel Power Trench㈢ MOSFET 40V, 20A, 5.8	获取价格
FDMC8462	ONSEMI	N 沟道 Power Trench® MOSFET 40V，20A，5.8mΩ	获取价格
FDMC8554	FAIRCHILD	N-Channel Power Trench MOSFET 20V, 16.5A, 5mohm	获取价格