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FDMC8327L PDF预览

FDMC8327L

更新时间： 2023-09-03 20:32:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 391K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，14A，9.7mΩ

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FDMC8327L 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：0.96
雪崩能效等级（Eas）：25 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.0097 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC8327L 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
60  
4
3
2
1
0
VGS = 10 V  
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
VGS = 6 V  
VGS = 4.5 V  
VGS = 4 V  
50  
VGS = 3 V  
VGS = 3.5 V  
40  
30  
20  
10  
0
VGS = 3.5 V  
VGS = 4 V  
VGS = 3 V  
VGS = 10 V  
VGS = 4.5 V  
VGS = 6 V  
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
0.0  
0.3  
0.6  
0.9  
1.2  
1.5  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
ID, DRAIN CURRENT (A)  
Figure 1. On Region Characteristics  
Figure2. N o r m a l i z e d O n - R e s i s ta n c e  
vs Drain Current and Gate Voltage  
30  
1.7  
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
ID = 12 A  
GS = 10 V  
ID = 12 A  
1.6  
1.5  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
V
25  
20  
15  
10  
5
TJ = 125 o  
C
TJ = 25 o  
C
0
2
4
6
8
10  
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150  
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. Normalized On Resistance  
vs Junction Temperature  
Figure4. On-Resistance vs Gate to  
Source Voltage  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8327L Rev.C2  
3
www.fairchildsemi.com  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC8360L FAIRCHILD

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 		N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m
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