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FDMC8327L PDF预览

FDMC8327L

更新时间： 2023-09-03 20:32:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 391K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，14A，9.7mΩ

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FDMC8327L 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：0.96
雪崩能效等级（Eas）：25 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.0097 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MO-240BAJESD-30 代码：S-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDMC8327L 数据手册

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Typical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
60  
100  
10  
PULSE DURATION = 80 μs  
DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
VGS = 0 V  
50  
VDS = 5 V  
40  
TJ = 150 o  
C
TJ = 150 o  
C
1
TJ = 25 o  
C
30  
20  
10  
0
TJ = 25 o  
C
0.1  
TJ = -55 o  
C
0.01  
TJ = -55 o  
C
0.001  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure6. Source to Drain Diode  
Forward Voltage vs Source Current  
10  
8
10000  
1000  
100  
10  
ID = 12 A  
Ciss  
VDD = 20 V  
6
Coss  
VDD = 16 V  
VDD = 24 V  
4
Crss  
2
f = 1 MHz  
VGS = 0 V  
0
1
0.1  
0
4
8
12  
16  
20  
1
10  
40  
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Qg, GATE CHARGE (nC)  
Figure 7. Gate Charge Characteristics  
Figure8. C a p a c i t a n c e v s D r a i n  
to Source Voltage  
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC8327L Rev.C2  
4
www.fairchildsemi.com  
123456789

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与FDMC8327L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDMC8360L FAIRCHILD

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 		N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 40 V, 80 A, 2.1 m
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