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FDMC8321LDC

更新时间： 2023-09-03 20:38:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	660K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，108A，2.5mΩ

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FDMC8321LDC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FDMC8321LDC 数据手册

Typical Characteristics T_J= 25 °C unless otherwise noted

10000

1000

100

I_D= 27 A

C_iss

V_DD= 16 V

V_DD= 20 V

C_oss

V_DD= 24 V

C_rss

f = 1 MHz

_GS= 0 V

0.1

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Q_g, GATE CHARGE (nC)

Figure 7. Gate Charge Characteristics

Figure8. C a p a c i t a n c e v s D r a i n

to Source Voltage

100

120

100

_θJC= 2.2 ^oC/W

V_GS= 10 V

T_J= 25 ^oC

T_J= 100 ^o

Limited by Package

V_GS= 4.5 V

T_J= 125 ^o

0.01

0.1

100

125

150

T_C, CASE TEMPERATURE (^oC)

t_AV, TIME IN AVALANCHE (ms)

Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e

Switching Capability

Figure10. Maximum Continuous Drain

Current vs Case Temperature

10000

1000

100

600

100

SINGLE PULSE

R_θJC= 2.2 ^oC/W

_C= 25 ^oC

10 us

100 us

1 ms

10 ms

THIS AREA IS

LIMITED BY r_DS(on)

SINGLE PULSE

T_J= MAX RATED

R_θJC= 2.2 ^oC/W

CURVE BENT TO

MEASURED DATA

_C= 25 ^oC

0.1

10^-5

10^-4

10^-3

t, PULSE WIDTH (sec)

10^-2

10^-1

0.1

100

V_DS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 11. Forward Bias Safe

Operating Area

Figure12. Single Pulse Maximum

Power Dissipation

www.onsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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