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FDMC8321LDC

更新时间： 2024-01-16 03:55:41

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安森美 - ONSEMI		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	660K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，108A，2.5mΩ

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技术参数
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FDMC8321LDC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

FDMC8321LDC 数据手册

Typical Characteristics T_J= 25 °C unless otherwise noted

320

V_GS= 3 V

V_GS= 10 V

240

V_GS= 4.5 V

V_GS= 3.5 V

V_GS= 4 V

160

V_GS= 3.5 V

V_GS= 4.5 V

PULSE DURATION = 80 μs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

PULSE DURATION = 80 μs

V_GS= 10 V

V_GS= 3 V

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

160

240

320

V_DS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

I_D, DRAIN CURRENT (A)

Figure 1. On Region Characteristics

Figure2. N o r m a l i z e d O n - R e s i s ta n c e

vs Drain Current and Gate Voltage

1.8

I_D= 27 A

_GS= 10 V

PULSE DURATION = 80 μs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

I_D= 27 A

T_J= 125 ^o

T_J= 25 ^o

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (^oC)

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 3. Normalized On Resistance

vs Junction Temperature

Figure4. On-Resistance vs Gate to

Source Voltage

400

320

V_GS= 0 V

PULSE DURATION = 80 μs

DUTY CYCLE = 0.5% MAX

100

V_DS= 5 V

240

160

T_J= 150 ^o

T_J= 25 ^o

T_J= 150 ^o

0.1

T_J= 25 ^o

T_J= -55 ^o

0.01

0.001

T_J= -55 ^o

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V_GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

V_SD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 5. Transfer Characteristics

Figure6. Source to Drain Diode

Forward Voltage vs Source Current

www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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