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FDMC8321LDC

更新时间： 2023-09-03 20:38:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 660K
描述
N 沟道，Power Trench® MOSFET，40V，108A，2.5mΩ

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FDMC8321LDC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
湿度敏感等级：1峰值回流温度（摄氏度）：260
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FDMC8321LDC 数据手册

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Electrical Characteristics TJ = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain to Source Breakdown Voltage  
ID = 250 μA, VGS = 0 V  
40  
V
ΔBVDSS  
ΔTJ  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
I
D = 250 μA, referenced to 25 °C  
39  
mV/°C  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
VDS = 32 V, VGS = 0 V  
VGS = ±20 V, VDS = 0 V  
1
μA  
±100  
nA  
On Characteristics  
VGS(th)  
Gate to Source Threshold Voltage  
VGS = VDS, ID = 250 μA  
1.0  
1.7  
-6  
3.0  
V
ΔVGS(th)  
ΔTJ  
Gate to Source Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
ID = 250 μA, referenced to 25 °C  
mV/°C  
V
GS = 10 V, ID = 27 A  
2.0  
2.8  
3.0  
126  
2.5  
4.1  
3.8  
rDS(on)  
gFS  
Static Drain to Source On Resistance  
Forward Transconductance  
VGS = 4.5 V, ID = 21 A  
mΩ  
VGS = 10 V, ID = 27 A, TJ = 125 °C  
VDS = 5 V, ID = 27 A  
S
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Rg  
Input Capacitance  
2832  
777  
66  
3965  
1090  
105  
pF  
pF  
pF  
Ω
V
DS = 20 V, VGS = 0 V,  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
f = 1 MHz  
0.1  
0.7  
2.5  
Switching Characteristics  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
13  
5.5  
31  
23  
11  
50  
10  
60  
31  
ns  
ns  
VDD = 20 V, ID = 27 A,  
VGS = 10 V, RGEN = 6 Ω  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
ns  
4.8  
43  
ns  
Qg(TOT)  
Qg(TOT)  
Qgs  
Total Gate Charge at 10 V  
Total Gate Charge at 5 V  
Total Gate Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
nC  
nC  
nC  
nC  
22  
VDD = 20 V, ID = 27 A  
7.1  
6.1  
Qgd  
Drain-Source Diode Characteristics  
V
GS = 0 V, IS = 2.3 A  
(Note 2)  
(Note 2)  
0.7  
0.8  
31  
1.2  
1.3  
50  
VSD  
Source to Drain Diode Forward Voltage  
V
VGS = 0 V, IS = 27 A  
trr  
Reverse Recovery Time  
ns  
IF = 27 A, di/dt = 100 A/μs  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
11  
20  
nC  
www.onsemi.com  
3
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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