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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMC7664
FDMC7664 PDF预览

FDMC7664

更新时间： 2024-11-20 06:59:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 247K
描述
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4.2 m

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FDMC7664 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：MLP
包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：188 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：24 A最大漏极电流 (ID)：18.8 A
最大漏源导通电阻：0.0042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N5JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMC7664 数据手册

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July 2009  
FDMC7664  
N-Channel PowerTrench® MOSFETꢀ  
30 V, 18.8 A, 4.2 mꢁ  
Features  
General Description  
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild  
Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance. This  
device is well suited for Power Management and load switching  
applications common in Notebook Computers and Portable  
Battery Packs.  
  Max rDS(on) = 4.2 mꢁ at VGS = 10 V, ID = 18.8 A  
  Max rDS(on) = 5.5 mꢁ at VGS = 4.5 V, ID = 16.1 A  
  High performance technology for extremely low rDS(on)  
  Termination is Lead-free and RoHS Compliant  
Applications  
  DC - DC Buck Converters  
  Notebook battery power management  
  Load switch in Notebook  
Top  
Bottom  
4
3
2
1
G
S
S
S
D
D
D
5
6
7
8
Pin 1  
G
S
S
S
D
D
D
D
D
MLP 3.3x3.3  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
20  
Drain Current -Continuous (Package limited) TC = 25 °C  
24  
ID  
-Continuous  
-Pulsed  
TA = 25 °C  
(Note 1a)  
18.8  
60  
A
EAS  
PD  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
(Note 3)  
(Note 1a)  
188  
2.3  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RꢂJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
53  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDMC7664  
Device  
FDMC7664  
Package  
MLP 3.3x3.3  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
3000 units  
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMC7664 Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
1
1234567

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FDMC7664 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BSZ035N03LS G INFINEON

功能相似

 极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成
IRFHM830TRPBF INFINEON

功能相似

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FDMC7672S ONSEMI

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FDMC7672S-F125 FAIRCHILD

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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，14.8A，7.2mΩ

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