FDMC7660DC

更新时间： 2024-11-30 12:02:19

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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DUAL COOLâ¢ PACKAGE POWERTRENCHÂ® MOSFETs

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FDMC7660DC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	QFN
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWER 33, QFN-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	220 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.0022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-240BA
JESD-30 代码：	S-PDSO-N5	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	78 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDMC7660DC 数据手册

DUAL COOL^™PACKAGE POWERTRENCH^®MOSFETs

Dual Cool^™packaging technology, provides both bottom- and top-side cooling in a PQFN package. Not only is

the PQFN footprint an industry standard, it provides the designer with performance ﬂexibility. With enhanced dual

path thermal performance and improved parasitics over its wire-bonded predecessors, the use of a heat sink with

Dual Cool packaging technology provides even more impressive results. Test results prove that, when a heat sink

is used with our Dual Cool package technology, synchronous buck converters deliver higher output current and

increased power density. With Fairchild’s trench silicon technology, Dual Cool packaging technology proves to be a

clear leader in power density and thermal performance. Our Dual Cool package solutions are lead free and RoHS

compliant and are available in 3.3 mm x 3.3 mm and 5 mm x 6 mm PQFN packages.

Features

•ꢀ Top-side cooling, lower thermal resistance from

Bottom

Top

junction to top

3.3 mm x 3.3 mm

5 mm x 6 mm

•ꢀ Same land pattern as 5 mm x 6 mm and

3.3 mm x 3.3 mm PQFN – JEDEC standard

•ꢀ Allows higher current and power dissipation

•ꢀ Highest power density for DC-DC applications

•ꢀ Use with or without a heat sink, reduces the

number of qualiﬁed components in the BOM

Maximum Power Dissipation

•ꢀ Multiple suppliers without cross licensing

Capable of >60% Better Thermal Performance

requirements

•ꢀ High degree of production commonality with

Dual Cool Package

standard PQFN packaging

3.3mm x 3.3mm

Air Flow =

200LFM

•ꢀ 25 V - 150 V portfolio

Standard PQFN

No Air Flow

3.3mm x 3.3mm

Applications

•ꢀ Point-of-load (POL) synchronous-buck conversion

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

•ꢀ Servers

Power Loss (W) T_JMax. = 90°C, T_a=50°C

•ꢀ Telecommunications, routing and switching

•ꢀ Heat path from top only

5mm x 6mm Package

Q_JA(°C/W)

(%) Improvement from Wire Package

Interconnect

PQFN Wire

PQFN Clip

27.1

23.8

17.2

13.9

57.5

Dual Cool Package

Environment: Minimum Pad, Heat Sink, 200LFM Forced Air

fairchildsemi.com

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FDMC7660DC 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTMFS4982NFT3G	ONSEMI	功能相似	Single NâChannel Power MOSFET
NTMFS4982NFT1G	ONSEMI	功能相似	Single NâChannel Power MOSFET

与FDMC7660DC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDMC7660S	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power Trench® SyncFET 30 V, 20 A, 2
FDMC7660S	ONSEMI	获取价格	N 沟道，Power Trench® SyncFET™，30V，20A，2.2mΩ
FDMC7664	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，18.8A，4.2mΩ
FDMC7664	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4
FDMC7672	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Power Trench® MOSFET 30 V, 16.9 A,
FDMC7672	ONSEMI	获取价格	30V N沟道PowerTrench® MOSFET
FDMC7672S	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14.8A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
FDMC7672S	ONSEMI	获取价格	N 沟道，Power Trench® SyncFET™，30V，14.8A，6.0mΩ
FDMC7672S-F125	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDMC7672S-F127	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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