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NTMFS4982NFT1G PDF预览

NTMFS4982NFT1G

更新时间： 2024-12-01 01:11:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 126K
描述
Single N−Channel Power MOSFET

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NTMFS4982NFT1G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, CASE 488AA, SOP-8, DFN5, 6 PIN针数：5
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：16 weeks风险等级：0.88
雪崩能效等级（Eas）：125 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：36 A最大漏极电流 (ID)：26.5 A
最大漏源导通电阻：0.0019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：89.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTMFS4982NFT1G 数据手册

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NTMFS4982NF  
Power MOSFET  
30 V, 207 A, Single N−Channel, SO−8 FL  
Features  
• Integrated Schottky Diode  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
Applications  
• Server, Netcom, POL  
1.3 mW @ 10 V  
1.9 mW @ 4.5 V  
30 V  
207 A  
• Synchronous Rectification for DC−DC Converters  
• Low Side Switching  
• High Performance Applications  
N−CHANNEL MOSFET  
(5, 6)  
D
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value Unit  
V
DSS  
30  
20  
36  
V
V
A
G
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
(4)  
Continuous Drain  
Current R  
I
D
T = 25°C  
A
q
JA  
T = 85°C  
A
26  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
S
(1, 2, 3)  
T = 25°C  
A
P
2.7  
W
A
D
D
D
D
R
q
JA  
MARKING  
DIAGRAM  
Continuous Drain  
I
D
T = 25°C  
A
60  
43  
Current R  
10 sec  
v
q
JA  
T = 85°C  
A
D
S
S
S
G
D
D
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
I
7.4  
W
A
1
4982NF  
AYWZZ  
R
t v 10 sec  
q
JA,  
Steady  
State  
SO−8 FLAT LEAD  
CASE 488AA  
STYLE 1  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
26.5  
19  
D
q
JA  
T = 85°C  
A
D
(Note 2)  
Power Dissipation  
(Note 2)  
T = 25°C  
A
P
I
1.5  
W
A
A
Y
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
R
q
JA  
Continuous Drain  
Current R  
T
C
T
C
T
C
= 25°C  
= 85°C  
= 25°C  
207  
149  
89.3  
D
W
ZZ  
q
JC  
(Note 1)  
Power Dissipation  
(Note 1)  
P
W
R
q
JC  
Pulsed Drain Current t =10ms  
T = 25°C  
I
350  
100  
A
A
ORDERING INFORMATION  
p
A
DM  
I
Dmaxpkg  
Current limited by package  
T = 25°C  
A
†
Device  
Package  
Shipping  
Operating Junction and Storage Temperature  
T ,  
−55 to  
+150  
°C  
J
NTMFS4982NFT1G  
SO−8FL  
1500 /  
T
STG  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
Source Current (Body Diode)  
Drain to Source dV/dt  
I
S
54  
6
A
NTMFS4982NFT3G  
SO−8FL  
5000 /  
dV/dt  
EAS  
V/ns  
mJ  
(Pb−Free)  
Tape & Reel  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
125  
Energy (V = 50 V, V = 10 V, I = 50 A ,  
DD  
GS  
L
pk  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
L = 0.1 mH, R = 25 W)  
G
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8” from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
*For additional information on our Pb−Free strategy  
and soldering details, please download the ON  
Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2014  
1
Publication Order Number:  
February, 2014 − Rev. 3  
NTMFS4982NF/D  
1234567

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NTMFS4982NFT1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTMFS4982NFT3G ONSEMI

完全替代

 Single N−Channel Power MOSFET
FDMC7660DC ONSEMI

功能相似

 N 沟道，双 CoolTM 33 PowerTrench® MOSFET，30V，40A，
FDMC7660DC FAIRCHILD

功能相似

 DUAL COOL™ PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs

与NTMFS4982NFT1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTMFS4982NFT3G ONSEMI

获取价格

 		Single N−Channel Power MOSFET
NTMFS4983NF ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 106 A, Single N−Channel,
NTMFS4983NFT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 106 A, Single N−Channel,
NTMFS4983NFT3G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 106 A, Single N−Channel,
NTMFS4985NF ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 65 A, Single N−Channel,
NTMFS4985NFT1G ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET 30 V, 65 A, Single N−Channel,
NTMFS4985NFT3G ONSEMI

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 		Power MOSFET 30 V, 65 A, Single N−Channel,
NTMFS4C01N ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Field Effect Transistor
NTMFS4C01NT1G ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Field Effect Transistor
NTMFS4C01NT3G ONSEMI

获取价格

 		Single N-Channel Field Effect Transistor

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