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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CSD2495P | CDIL |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| CSD25201W15 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET |
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| CSD25202W15 | TI |
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、- |
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| CSD25202W15T | TI |
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、- |
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| CSD25211W1015 | TI |
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P-Channel NexFET? Power MOSFET |
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| CSD25213W10 | TI |
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P-Channel NexFET Power MOSFET |
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| CSD25301W1015 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET |
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| CSD25302Q2 | TI |
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P-Channel NexFET? Power MOSFET |
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| CSD25303W1015 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET |
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| CSD25304W1015 | TI |
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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