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CSD25303W1015

更新时间： 2024-09-28 12:43:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
10页 223K
描述
P-Channel NexFET™ Power MOSFET

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CSD25303W1015 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：CSP
包装说明：GRID ARRAY, R-PBGA-B6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.8
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：0.092 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：65 pFJESD-30 代码：R-PBGA-B6
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD25303W1015 数据手册

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CSD25303W1015  
www.ti.com  
SLPS292 –JANUARY 2011  
P-Channel NexFET™ Power MOSFET  
Check for Samples: CSD25303W1015  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
TA = 25°C unless otherwise stated  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Small Footprint  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
–20  
3.3  
0.6  
Low Profile 0.62mm Height  
Pb Free  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
VGS = –1.8V  
VGS = –2.5V  
VGS = –4.5V  
–0.65  
72  
56  
46  
RoHS Compliant  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
Halogen Free  
CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package  
VGS(th)  
Voltage Threshold  
APPLICATIONS  
ORDERING INFORMATION  
•
•
•
Battery Management  
Load Switch  
Battery Protection  
Device  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
1 × 1.5 Wafer  
Level Package  
Tape and  
Reel  
CSD25303W1015  
7-inch reel  
3000  
DESCRIPTION  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
–20  
±8  
UNIT  
V
The device has been designed to deliver the lowest  
on resistance and gate charge in the smallest outline  
possible with excellent thermal characteristics in an  
ultra low profile.  
VDS  
VGS  
ID  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
Continuous Drain Current, TC = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
–3  
A
IDM  
PD  
–9  
A
Top View  
1.5  
W
TSTG Storage Temperature Range  
TJ, Operating Junction Temperature Range  
D
S
S
D
S
G
–55 to 150  
°C  
(1) Typical RqJA = 90°C/W on 1in2 Cu (2 oz.) on 0.060" thick FR4  
PCB.  
(2) Pulse width ≤1ms, duty cycle ≤2%  
P0099-01  
RDS(ON) vs VGS  
Gate Charge  
200  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
5
ID = −1.5A  
ID = −1.5A  
VDD = −10V  
4
3
2
1
0
60  
40  
TC = 25°C  
TC = 125ºC  
20  
0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
Qg - Gate Charge - nC (nC)  
−VGS - Gate-to- Source Voltage - V  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2011, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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