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CSD25310Q2

更新时间： 2024-11-29 12:49:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
11页 760K
描述
CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD25310Q2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.65外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：9.6 A最大漏源导通电阻：0.089 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：21.7 pF
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CSD25310Q2 数据手册

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CSD25310Q2  
www.ti.com  
SLPS459 –JANUARY 2014  
CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD25310Q2  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
Drain-to-Source Voltage  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra-Low Qg and Qgd  
Low On Resistance  
VDS  
Qg  
–20  
3.6  
V
Gate Charge Total (–4.5 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
V
Low Thermal Resistance  
Pb-Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
Qgd  
0.5  
VGS = –1.8 V  
VGS = –2.5 V  
VGS = –4.5 V  
-0.85  
59.0  
27.0  
19.9  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
Halogen Free  
VGS(th)  
Threshold Voltage  
SON 2-mm × 2-mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
Device  
CSD25310Q2  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
•
•
•
Battery Management  
Load Management  
Battery Protection  
SON 2-mm × 2-mm  
Plastic Package  
7-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
3000  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
DESCRIPTION  
VDS  
VGS  
Drain-to-Source Voltage  
–20  
±8  
This 19.9 mΩ, –20 V P-Channel device is designed to  
deliver the lowest on resistance and gate charge in  
the smallest outline possible with excellent thermal  
characteristics in an ultra-low profile. Its low on  
resistance coupled with an extremely small footprint  
in a SON 2 mm × 2 mm plastic package make the  
device ideal for battery operated space constrained  
operations.  
Gate-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (Package Limit)  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current(2)  
–20  
–9.6  
48  
A
ID  
A
IDM  
PD  
TJ,  
A
Power Dissipation(1)  
2.9  
W
Operating Junction and Storage  
–55 to 150  
°C  
TSTG Temperature Range  
(1) RθJA = 43°C/W on 1 in² Cu (2 oz.) on .060-inch thick FR4  
PCB.  
Top View  
(2) Pulse duration 10 μs, duty cycle ≤ 2%  
S
S
G
1
2
3
6
5
4
S
S
D
S
D
P0112-01  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
80  
72  
64  
56  
48  
40  
32  
24  
16  
8
5
TC = 25°C,I D = −5A  
TC = 125°C,I D = −5A  
ID = −5A  
VDS = −10V  
4.5  
4
3.5  
3
2.5  
2
1.5  
1
0.5  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
5
Qg - Gate Charge (nC)  
−VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of a027317.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2014, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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