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CSD25485F5T

更新时间： 2024-09-30 11:13:27

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
13页	1878K
描述
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YJK \| 3 \| -55 to 150

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CSD25485F5T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	2.23	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	3.2 A
最大漏源导通电阻：	0.07 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	23 pF	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD25485F5T 数据手册

CSD25485F5

ZHCSFB8B –AUGUST 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD25485F5 -20V P 沟道FemtoFET™ MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

典型值

单位

V_DS

Q_g

-20

漏源电压

• 低导通电阻

• 低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

2.7

栅极电荷总量(-4.5V)

Q_gd

0.56

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

V_GS= -1.8V

– 1.53mm × 0.77mm

– 0.50mm 焊盘间距

• 薄型封装

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

V_GS= –8V

R_DS(on)

mΩ

29.7

– 厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

V_GS(th)

-0.95

阈值电压

– 额定值> 4kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 无铅且无卤素

器件信息⁽¹⁾

介质

器件

数量

封装

配送

CSD25485F5

3000

Femto

卷带包

装

1.53mm × 0.77mm

• 符合RoHS

7 英寸卷带

CSD25485F5T

250

无引线SMD

2 应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

• 针对工业负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

绝对最大额定值

T_A= 25°C

3 说明

值

单位

V_DS

V_GS

-20

-12

漏源电压

该 29.7mΩ、-20V P 沟道 FemtoFET^™MOSFET 技术

经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和

移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信

号MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

持续漏极电流⁽²⁾

脉冲漏极电流^{(1) (3)}

功率耗散⁽¹⁾

–3.2

–5.3

–31

0.5

I_D

I_DM

P_D

。

功率耗散⁽²⁾

1.4

4000

2000

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

V_(ESD)

0.36 mm

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温、

贮存温度

°C

(1) 覆铜面积最小时的典型R_θJA= 245°C/W。

(2) 覆铜面积最大时的典型R_θJA= 90°C/W。

(3) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

0.77 mm

1.53 mm

图3-1. 典型器件尺寸

图3-2. 顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS606

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CSD25485F5T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD25485F5	TI	类似代替	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-

与CSD25485F5T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD25501F3	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V
CSD25501F3T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V
CSD-25BH-0.9G	MERRIMAC	获取价格	DIRECTIONAL COUPLER
CSD261	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD261G	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD261O	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92
CSD261R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD261Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD288	CDIL	获取价格	PNP/NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSD288O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 55V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB

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