Datasheet > CSD25501F3T

CSD25501F3T

更新时间： 2024-11-30 11:13:23

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
13页	1936K
描述
采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YJN \| 3 \| -55 to 150

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSD25501F3T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GRID ARRAY, R-XBGA-N3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	12 weeks
风险等级：	1.66	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	0.125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	5.3 pF
JESD-30 代码：	R-XBGA-N3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD25501F3T 数据手册

CSD25501F3

ZHCSGW6B –OCTOBER 2017 –REVISED OCTOBER 2021

CSD25501F3 –20V P 沟道FemtoFET^™MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

-20

漏源电压

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

Q_g

1.02

0.09

总栅极电荷(–4.5V)

Q_gd

栅极电荷（栅极到漏极）

120

– 0.7mm × 0.6mm

• 薄型

V_GS= –1.8V

V_GS= -2.5V

V_GS= –4.5V

-0.75

漏源

导通电阻

R_DS(on)

mΩ

– 最大高度为0.22mm

• 集成型ESD 保护二极管

• 无铅且无卤素

• 符合RoHS

V_GS(th)

阈值电压

器件信息

包装介质

器件⁽¹⁾

数量

封装

配送

CSD25501F3

3000

Femto

0.73mm × 0.64mm

基板栅格阵列(LGA)

2 应用

卷带

包装

7 英寸卷带

CSD25501F3T

250

• 针对负载开关应用进行了优化

• 电池应用

• 手持式和移动类应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

3 说明

绝对最大额定值

此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET^™MOSFET 经

过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用

中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳

位电阻器 (R_C) 可根据占空比让栅极电压 (V_GS) 高于最

大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏

(I_GSS) 随着V_GS增加到高于–6V 而增加。

T_A= 25°C（除非另外注明）

值

单位

V_DS

V_GS

I_D

-20

漏源电压

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流^{(1) (2)}

功率耗散⁽¹⁾

–3.6

–13.6

500

I_DM

P_D

4000

2000

人体放电模式(HBM)

组件充电模式(CDM)

V_(ESD)

T_J、

T_stg

–55 至

150

运行结温、

贮存温度

°C

(1) 安装在覆铜区域极小的FR4 材料上时的典型R_θJA

255°C/W。

(2) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

R_C

R_G

0.2 mm

0.7 mm

顶视图.........

0.6 mm

典型部件尺寸...............

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS692

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与CSD25501F3T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD-25BH-0.9G	MERRIMAC	获取价格	DIRECTIONAL COUPLER
CSD261	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD261G	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD261O	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92
CSD261R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD261Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD288	CDIL	获取价格	PNP/NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSD288O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 55V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
CSD288R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 55V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
CSD288Y	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 55V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB

与CSD25501F3T相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

63

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD25501F3T

CSD25501F3T 技术参数

CSD25501F3T 数据手册

与CSD25501F3T相关器件

与CSD25501F3T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD25501F3T

CSD25501F3T 技术参数

CSD25501F3T 数据手册

与CSD25501F3T相关器件

与CSD25501F3T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？