型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD25310Q2 | TI |
类似代替 |
CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs | |
SI8447DB-T2-E1 | VISHAY |
功能相似 |
TRANSISTOR 5.1 A, 20 V, 0.105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3 X 2 MM, HALOGEN FREE AN |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD25303W1015 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET | |
CSD25304W1015 | TI |
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex | |
CSD25304W1015T | TI |
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex | |
CSD25310Q2 | TI |
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CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD25310Q2T | TI |
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采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFE | |
CSD25401Q3 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD25402Q3A | TI |
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20 V P-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD25402Q3A_16 | TI |
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20 V P-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD25402Q3A_V01 | TI |
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CSD25402Q3A â20 V P-Channel NexFET⢠Power | |
CSD25402Q3AT | TI |
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CSD25402Q3A â20 V P-Channel NexFET⢠Power |