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SI8447DB-T2-E1 PDF预览

SI8447DB-T2-E1

更新时间： 2024-11-30 21:16:43
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 122K
描述
TRANSISTOR 5.1 A, 20 V, 0.105 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 3 X 2 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICRO FOOT, 6 PIN, FET General Purpose Power

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SI8447DB-T2-E1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：GRID ARRAY, R-PBGA-B6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：5.1 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PBGA-B6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：13 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：BALL端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI8447DB-T2-E1 数据手册

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Si8447DB  
Vishay Siliconix  
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
TrenchFET Power MOSFET  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
Qg (Typ.)  
I
D (A)e  
0.075 at VGS = - 4.5 V  
0.105 at VGS = - 2.5 V  
0.260 at VGS = - 1.7 V  
- 11  
- 9.5  
- 6.0  
®
•
•
- 20  
7.5 nC  
APPLICATIONS  
•
•
•
Load Switch  
Battery Switch  
Charger Switch  
MICRO FOOT  
S
Bump Side View  
Backside View  
S
S
D
G
S
D
G
2
3
4
1
6
5
D
P-Channel MOSFET  
Device Marking: 8447  
xxx = Date/Lot Traceability Code  
Ordering Information: Si8447DB-T2-E1 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
12  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
- 11  
- 8.9  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
T
- 5.1a, b  
- 4.1a, b  
- 15  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
TC = 25 °C  
TA = 25 °C  
- 10.8  
- 2.3a, b  
13  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
8.4  
Maximum Power Dissipation  
PD  
W
T
2.77a, b  
1.77a, b  
- 55 to 150  
260  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Package Reflow Conditionsc  
TJ, Tstg  
VPR  
°C  
IR/Convection  
260  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Refer to IPC/JEDEC (J-STD-020C), no manual or hand soldering.  
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.  
e. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 64802  
S-09-0664-Rev. A, 20-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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SI8447DB-T2-E1 替代型号

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