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CSD25402Q3AT

更新时间： 2024-11-30 02:58:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 1340K
描述
CSD25402Q3A –20 V P-Channel NexFET™ Power MOSFET

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CSD25402Q3AT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：6 weeks
风险等级：2.25外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.0159 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：5
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：148 A
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CSD25402Q3AT 数据手册

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CSD25402Q3A  
www.ti.com  
SLPS454 –DECEMBER 2013  
20 V P-Channel NexFET™ Power MOSFET  
Check for Samples: CSD25402Q3A  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
Drain-to-Source Voltage  
2
•
•
•
•
•
•
Ultra-Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Low RDS(on)  
VDS  
Qg  
–20  
7.5  
V
Gate Charge Total (–4.5 V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
1.1  
VGS = –1.8 V  
VGS = –2.5 V  
VGS = –4.5 V  
–0.9  
74  
13.3  
7.7  
Pb and Halogen Free  
RoHS Compliant  
RDS(on) Drain-to-Source On Resistance  
SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package  
Vth  
Threshold Voltage  
APPLICATIONS  
ORDERING INFORMATION  
•
•
•
•
DC-DC Converters  
Battery Management  
Load Switch  
Device  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
SON 3 × 3 Plastic  
Package  
13-inch  
reel  
Tape and  
Reel  
CSD25402Q3A  
2500  
Battery Protection  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
V
DESCRIPTION  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
–20  
+12 or –12  
–72  
This –20 V, 7.7 mΩ NexFET™ power MOSFET is  
designed to minimize losses in power conversion load  
management applications with a SON 3 × 3 package  
that offers an excellent thermal performance for the  
size of the device.  
Gate to Source Voltage  
V
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current (Package Limit)  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current(2)  
A
ID  
–35  
A
–15  
A
IDM  
PD  
TJ,  
–82  
A
Power Dissipation(1)  
2.8  
W
Top View  
Operating Junction and Storage  
D
D
D
G
S
S
S
S
–55 to 150  
°C  
8
7
1
2
TSTG Temperature Range  
(1) RθJA = 55°C/W on 1 inch2 Cu (2 oz.) on 0.060" thick FR4  
PCB.  
6
5
3
4
(2) Pulse width ≤300 µs, duty cycle ≤2%  
S
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
24  
21  
18  
15  
12  
9
8
TC = 25°C,I D = −10A  
TC = 125°C,I D = −10A  
ID = −10A  
VDS = −10V  
7
6
5
4
3
2
1
0
6
3
0
0
2
4
6
8
10  
12  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
Qg - Gate Charge (nC)  
−VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD25404Q3 TI

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CSD25404Q3T TI

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 		采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET
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 		采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、
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 		采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、
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