Datasheet > CSD25480F3

CSD25480F3

更新时间： 2024-11-30 11:14:59

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
12页	1339K
描述
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD25480F3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GRID ARRAY, R-PBGA-B3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.67
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	1.7 A	最大漏源导通电阻：	0.26 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	4.7 pF
JESD-30 代码：	R-PBGA-B3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	BUTT
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD25480F3 数据手册

CSD25480F3

ZHCSEW4B –APRIL 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD25480F3 -20V P 沟道FemtoFET^™MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

-20

漏源电压

Q_g

0.7

栅极电荷总量(-4.5V)

Q_gd

0.10

栅极电荷（栅极到漏极）

– 0.73mm × 0.64mm

• 薄型封装

420

203

132

110

V_GS= –1.8V

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

V_GS= -8.0V

-0.95

漏源

导通电阻

R_DS(on)

mΩ

– 最大厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

• 无铅且无卤素

• 符合RoHS

V_GS(th)

阈值电压

器件信息⁽¹⁾

介质

2 应用

器件

数量

封装

配送

CSD25480F3

3000

Femto

0.73mm × 0.64mm

基板栅格阵列(LGA)

• 针对负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

• 电池应用

卷带

包装

7 英寸卷带

CSD25480F3T

250

• 手持式和移动类应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

3 说明

绝对最大额定值

T_A= 25°C（除非另外注明）

该 -20V、110mΩ P 沟道 FemtoFET^™MOSFET 经过

设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动

应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

值

单位

V_DS

V_GS

I_D

-20

-12

漏源电压

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流^{(1) (2)}

功率耗散⁽¹⁾

–1.7

–10.6

500

I_DM

P_D

4000

2000

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

0.36 mm

V_(ESD)

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温、

贮存温度

°C

0.73 mm

0.64 mm

(1) 安装在覆铜区域最小的FR4 电路板上时的典型R_θJA

255°C/W。

(2) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

典型器件尺寸...............

顶视图.........

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS578

12 3 4 5 6 7...12

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CSD25480F3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD23382F4	TI	类似代替	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12
CSD23381F4	TI	类似代替	CSD23381F4, 12 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25481F4	TI	类似代替	CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET

与CSD25480F3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD25480F3T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、
CSD25481F4	TI	获取价格	CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25481F4_16	TI	获取价格	20 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25481F4R	TI	获取价格	CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25481F4T	TI	获取价格	暂无描述
CSD25483F4	TI	获取价格	CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25483F4R	TI	获取价格	CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25483F4T	TI	获取价格	20 V, P-Channel FemtoFE MOSFET
CSD25484F4	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-2
CSD25484F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-2

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