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CSD25484F4

更新时间： 2024-11-30 11:15:43

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
15页	1950K
描述
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD25484F4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LGA
包装说明：	GRID ARRAY, R-XBGA-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.66
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.18 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	7.2 pF	JESD-30 代码：	R-XBGA-N3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD25484F4 数据手册

CSD25484F4

ZHCSDO8B –MAY 2015 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD25484F4 -20V P 沟道FemtoFET^™MOSFET

产品概要(continued)

1 特性

T_A= 25°C

Q_g

典型值

单位

1090

150

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

• 低阈值电压

• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）

– 1.0mm × 0.6mm

• 超薄型封装

栅极电荷总量(-4.5V)

栅极电荷（栅漏极）

Q_gd

405

150

V_GS= –1.8V

V_GS= -2.5V

V_GS= –4.5V

V_GS= -8.0V

-0.95

漏源

导通电阻

R_DS(on)

mΩ

– 厚度为0.2mm

V_GS(th)

阈值电压

• 集成型ESD 保护二极管

器件信息

介质

– 额定值> 4kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 无铅且无卤素

封装⁽¹⁾

器件

数量

配送

CSD25484F4

3000

Femto (0402)

1.00mm × 0.60mm

基板栅格阵列(LGA)

卷带包

装

7 英寸卷带

CSD25484F4T

250

• 符合RoHS

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

2 应用

• 针对负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

• 电池应用

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

I_D

-20

漏源电压

• 手持式和移动类应用

–12

栅源电压

3 说明

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流^{(1) (2)}

持续栅极钳位电流

脉冲栅极钳位电流⁽²⁾

功率耗散⁽¹⁾

-2.5

该80mΩ、-20V P 沟道FemtoFET^™MOSFET 经过设

计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应

用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少60%。

I_DM

–22

-35

-350

500

I_G

P_D

人体放电模式(HBM)

充电器件模型(CDM)

。

V_(ESD)

T_J、

T_stg

工作结温，

贮存温度

–55 至

150

°C

(1) 典型R_θJA= 85°C/W（在0.06 英寸(1.52mm) 厚的FR4 PCB

上安装1 平方英寸(6.45cm²)、2oz、

0.20 mm

0.071mm 厚的铜焊盘时）。

(2) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

0.60 mm

1.00 mm

图3-1. 典型封装尺寸

图3-2. 顶视图

产品概要

T_A= 25°C

典型值

单位

V_DS

-20

漏源电压

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS551

12 3 4 5 6 7...15

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CSD25484F4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD25484F4T	TI	类似代替	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-2
CSD25483F4	TI	类似代替	CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25481F4	TI	类似代替	CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET

与CSD25484F4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD25484F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-2
CSD25485F5	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-
CSD25485F5T	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-
CSD25501F3	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V
CSD25501F3T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V
CSD-25BH-0.9G	MERRIMAC	获取价格	DIRECTIONAL COUPLER
CSD261	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD261G	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92
CSD261O	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92
CSD261R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| TO-92

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