是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | GRID ARRAY, R-XBGA-N3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 1.66 |
其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 1.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.39 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XBGA-N3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.5 W |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD25483F4 | TI |
类似代替 |
CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD25484F4 | TI |
获取价格 |
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-2 | |
CSD25484F4T | TI |
获取价格 |
采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-2 | |
CSD25485F5 | TI |
获取价格 |
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、- | |
CSD25485F5T | TI |
获取价格 |
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、- | |
CSD25501F3 | TI |
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采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V | |
CSD25501F3T | TI |
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采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V | |
CSD-25BH-0.9G | MERRIMAC |
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DIRECTIONAL COUPLER | |
CSD261 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | TO-92 | |
CSD261G | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | TO-92 | |
CSD261O | CDIL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92 |