Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CSD25481F4R

CSD25481F4R

更新时间： 2024-11-29 12:49:43

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		/
页数	文件大小	规格书
14页	1330K
描述
CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSD25481F4R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.32
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

CSD25481F4R 数据手册

CSD25481F4

SLPS420B –SEPTEMBER 2013–REVISED FEBRUARY 2014

CSD25481F4, 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET

1 Features

Product Summary

Drain-to-Source Voltage

•

Ultra-Low On Resistance

V_DS

Q_g

–20

913

Ultra-Low Q_gand Q_gd

Gate Charge Total (–4.5 V)

Gate Charge Gate to Drain

mΩ

High Operating Drain Current

Ultra-Small Footprint (0402 Case Size)

Q_gd

153

V_GS= –1.8 V

V_GS= –2.5 V

V_GS= –4.5 V

–0.95

395

145

R_DS(on)Drain-to-Source On Resistance

–

1.0 mm x 0.6 mm

Ultra-Low Profile

0.35 mm Max Height

Integrated ESD Protection Diode

•

V_GS(th)

Threshold Voltage

–

Ordering Information

–

Rated > 4 kV HBM

Rated > 2 kV CDM

Device

Qty

Media

Package

Ship

7-Inch

Reel

CSD25481F4

3000

Femto(0402)

1.0 mm x 0.6 mm

Land Grid Array (LGA)

Tape and

Reel

•

Lead and Halogen Free

RoHS Compliant

7-Inch

Reel

CSD25481F4T

250

2 Applications

Absolute Maximum Ratings

T_A= 25°C unless otherwise stated

VALUE

–20

–12

–2.5

–10

–35

–350

500

UNIT

•

Optimized for Load Switch Applications

V_DS

V_GS

I_D

Drain-to-Source Voltage

Optimized for General Purpose Switching

Applications

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current⁽¹⁾

Pulsed Drain Current⁽²⁾

•

Battery Applications

I_DM

Handheld and Mobile Applications

Continuous Gate Clamp Current

Pulsed Gate Clamp Current⁽²⁾

Power Dissipation⁽¹⁾

I_G

3 Description

P_D

This 90 mΩ, 20 V P-Channel FemtoFET™ MOSFET

is designed and optimized to minimize the footprint in

many handheld and mobile applications. This

technology is capable of replacing standard small

signal MOSFETs while providing at least a 60%

reduction in footprint size.

Human Body Model (HBM)

Charged Device Model (CDM)

ESD

Rating

T_J,

T_STG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

–55 to 150

°C

(1) Typical R_θJA= 85°C/W on 1-inch²(6.45-cm²), 2-oz. (0.071-

mm thick) Cu pad on a 0.06-inch (1.52-mm) thick FR4 PCB.

(2) Pulse duration ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2%

Typical Part Dimensions

Top View

0.35 mm

0.60 mm

1.00 mm

An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,

intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与CSD25481F4R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD25481F4T	TI	获取价格	暂无描述
CSD25483F4	TI	获取价格	CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25483F4R	TI	获取价格	CSD25483F4, 20 V P-Channel FemtoFET MOSFET
CSD25483F4T	TI	获取价格	20 V, P-Channel FemtoFE MOSFET
CSD25484F4	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-2
CSD25484F4T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-2
CSD25485F5	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-
CSD25485F5T	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-
CSD25501F3	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V
CSD25501F3T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V

与CSD25481F4R相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

49
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

38
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

67
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

63

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD25481F4R

CSD25481F4R 技术参数

CSD25481F4R 数据手册

与CSD25481F4R相关器件

与CSD25481F4R相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD25481F4R

CSD25481F4R 技术参数

CSD25481F4R 数据手册

与CSD25481F4R相关器件

与CSD25481F4R相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？