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CSD25304W1015T

更新时间： 2024-11-30 11:13:03

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	1385K
描述
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YZC \| 6 \| -55 to 150

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CSD25304W1015T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GRID ARRAY, R-XBGA-B6
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.65	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.092 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	15.6 pF	JESD-30 代码：	R-XBGA-B6
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD25304W1015T 数据手册

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CSD25304W1015

ZHCSCN1A –JULY 2014–REVISED AUGUST 2014

CSD25304W1015 20V P 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶

体管 (MOSFET)

1 特性

产品概要

•

超低 Q_g和 Q_gd

T_A= 25°C

V_DS

典型值

-20

单位

小封装尺寸

漏源电压

低高度（高度为 0.62mm）

Q_g

栅极电荷总量 (4.5V)

栅漏栅极电荷

3.3

mΩ

无铅

Q_gd

0.5

V_GS= –1.8V

符合 RoHS 环保标准

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

无卤素

芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装

V_GS(th)

电压阀值

-0.8

2 应用范围

订购信息⁽¹⁾

•

电池管理

负载开关

电池保护

器件

CSD25304W1015 3000 7 英寸卷带

CSD25304W1015T 250 7 英寸卷带

数量

介质

封装

出货

卷带封装

1.0mm × 1.5mm

晶圆级封装

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

3 说明

最大绝对额定值

这款 27mΩ，20V P 通道器件设计用于在超薄且具有

出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形封装内提供最

低的导通电阻和栅极电荷。

T_A= 25°C

值

-20

单位

V_DS

V_GS

I_D

漏源电压

栅源电压

±8

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

功率耗散

–3.0

–41

0.75

顶视图

I_DM

P_D

T_J，

T_stg

运行结温和

储存温度范围

-55 至 150

°C

(1) 器件在 105ºC 温度下运行

(2) R_θJA典型值 = 165°C/W，脉宽 ≤100μs，占空比 ≤1%

P0099-01

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

4.5

T_C= 25°C,I _D= −1.5 A

T_C= 125°C,I _D= −1.5 A

I_D= −1.5A

V_DS= −10V

3.5

2.5

1.5

0.5

1.5

2.5

3.5

Q_g- Gate Charge (nC)

−V_GS- Gate-to- Source Voltage (V)

G001

PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.

English Data Sheet: SLPS510

12 3 4 5 6 7...17

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CSD25304W1015T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD25304W1015	TI	类似代替	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex

与CSD25304W1015T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD25310Q2	TI	获取价格	CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD25310Q2T	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFE
CSD25401Q3	TI	获取价格	P-Channel NexFETâ¢ Power MOSFETs
CSD25402Q3A	TI	获取价格	20 V P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD25402Q3A_16	TI	获取价格	20 V P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD25402Q3A_V01	TI	获取价格	CSD25402Q3A â20 V P-Channel NexFETâ¢ Power
CSD25402Q3AT	TI	获取价格	CSD25402Q3A â20 V P-Channel NexFETâ¢ Power
CSD25404Q3	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET
CSD25404Q3T	TI	获取价格	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET
CSD25480F3	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、

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