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CSD25401Q3

更新时间： 2024-11-29 12:55:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
11页 392K
描述
P-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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CSD25401Q3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.78Samacsys Description：MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
其他特性：AVALANCHE RATED外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.0182 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：82 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

CSD25401Q3 数据手册

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CSD25401Q3  
www.ti.com  
SLPS211B –AUGUST 2009–REVISED OCTOBER 2010  
P-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD25401Q3  
1
FEATURES  
Table 1. PRODUCT SUMMARY  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Low RDS(on)  
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
–20  
8.8  
V
Gate Charge Total (4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
2.1  
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
VGS = –2.5V  
VGS = –4.5V  
–0.85  
13.5  
8.8  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
Vth Threshold Voltage  
Halogen Free  
SON 3.3mm x 3.3mm Plastic Package  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD25401Q3  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
APPLICATIONS  
SON 3 × 3 Plastic  
Package  
13-inch  
reel  
Tape and  
Reel  
•
•
•
•
DC-DC Converters  
Battery Management  
Load Switch  
2500  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
Battery Protection  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
–20  
DESCRIPTION  
Gate to Source Voltage  
+12 / -12  
–60  
V
Continuous Drain Current, TC = 25°C  
Continuous Drain Current(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Power Dissipation(1)  
A
The NexFET™ power MOSFET has been designed  
to minimize losses in power conversion load  
management applications. The SON 3×3 package  
offers excellent thermal performance for the size of  
the package.  
ID  
–14  
A
IDM  
PD  
TJ,  
–82  
A
2.8  
W
Operating Junction and Storage  
–55 to 150  
°C  
TSTG Temperature Range  
Top View  
(1) RqJA = 45°C/W on 1inch2 Cu (2 oz.) on 0.060" thick FR4 PCB.  
(2) Pulse width ≤300µs , duty cycle ≤2%  
D
D
D
G
S
S
S
S
8
7
1
2
6
5
3
4
S
RDS(ON) vs VGS  
Gate Charge  
10  
30  
25  
20  
15  
10  
5
I
= −10A  
I
= −10A  
D
D
9
8
7
6
5
V
= −10V  
DS  
T
= 125°C  
C
4
3
2
1
0
T
= 25°C  
C
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
Q
− Gate Charge − nC  
−V  
GS  
− Gate to Source Voltage − V  
g
G003  
G006  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2009–2010, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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CSD25401Q3 替代型号

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