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CPH3350-TL-W PDF预览

CPH3350-TL-W

更新时间： 2023-09-03 20:39:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 290K
描述
P 沟道，功率 MOSFET，-20V，-3A，83mΩ

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CPH3350-TL-W 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：4 weeks风险等级：0.71
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：0.083 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

CPH3350-TL-W 数据手册

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Ordering number : ENA0151B  
CPH3350  
P-Channel Power MOSFET  
http://onsemi.com  
–
–
Ω
20V, 3A, 83m , Single CPH3  
Features  
•
Ultrahigh-speed switching  
•
•
•
1.8V drive  
Halogen free compliance  
Protection diode in  
Specifications  
at Ta=25°C  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
--20  
Unit  
V
V
DSS  
V
±10  
V
GSS  
I
-- 3  
A
D
Drain Current (Pulse)  
I
PW 10 s, duty cycle 1%  
When mounted on ceramic substrate (900mm2 0.8mm)  
--12  
A
≤
μ
≤
DP  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
P
1.0  
W
°C  
°C  
×
D
Tch  
150  
Tstg  
--55 to +150  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating  
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Product & Package Information  
Package Dimensions  
unit : mm (typ)  
• Package  
: CPH3  
7015A-004  
• JEITA, JEDEC  
: SC-59, TO-236, SOT-23  
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel  
CPH3350-TL-H  
CPH3350-TL-W  
Packing Type: TL  
Marking  
2.9  
0.15  
0.05  
3
TL  
1
2
0.95  
1 : Gate  
0.4  
Electrical Connection  
2 : Source  
3 : Drain  
3
CPH3  
1
2
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
October, 2013  
O0913 TKIM TC-00002895/60612 TKIM/D1411PE TKIM TC-00002683 No. A0151-1/6  
123456

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CPH3350-TL-W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MCH3377-TL-E ONSEMI

类似代替

 P-Channel Power MOSFET
RTR030P02TL ROHM

功能相似

 SILICON P-CHANNEL MOS FET

与CPH3350-TL-W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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