是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.34 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3 A | 最大漏极电流 (ID): | 3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.085 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e1 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CPH3350-TL-W | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
P 沟道,功率 MOSFET,-20V,-3A,83mΩ |
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MCH3377-TL-W | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
P-Channel Power MOSFET |
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MCH3377-TL-E | ONSEMI |
功能相似 ![]() |
P-Channel Power MOSFET |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RTR040N03 | ROHM |
获取价格 |
Switching (30V, 4.0A) |
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RTR040N03_06 | ROHM |
获取价格 |
2.5V Drive Nch MOS FET |
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RTR040N03HZG | ROHM |
获取价格 |
RTR040N03HZG is a low on-resistance MOSFET for automotive, suitable for swithing applicati |
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RTR040N03HZGTL | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
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RTR05R150FTP | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密低阻芯片电阻 |
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RTR05R180FTP | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密低阻芯片电阻 |
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RTR05R220FTP | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密低阻芯片电阻 |
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RTR05R270FTP | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密低阻芯片电阻 |
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RTR05R330FTP | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密低阻芯片电阻 |
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RTR05R390FTP | RALEC |
获取价格 |
厚膜高精密低阻芯片电阻 |
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