RTR040N03HZGTL

更新时间： 2024-01-25 00:44:02

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RTR040N03HZGTL 数据手册

RTR040N03

Transistors

2.5V Drive Nch MOS FET

RTR040N03

zExternal dimensions (Unit : mm)

zStructure

Silicon N-channel

MOS FET

TSMT3

1.0MAX

2.9

0.4

0.85

0.7

(

)

zFeatures

1) Low On-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small Surface Mount Package (TSMT3).

( )

0.95 0.95

1.9

0.16

(1) Gate

Each lead has same dimensions

(2) Source

(3) Drain

Abbreviated symbol : QV

zApplication

Power switching, DC / DC converter.

zPackaging specifications

zEquivalent circuit

Package

Taping

(3)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

RTR040N03

(1)

∗2

∗1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

Limits

Unit

(1) Gate

(2) Source

(3) Drain

(2)

V_DSS

V_GSS

I_D

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Continuous

Pulsed

4.0

Drain current

∗1

I_DP

0.8

Source current

(Body diode)

Continuous

Pulsed

I_S

∗1

∗2

I_SP

Total power dissipation

Channel temperature

P_D

1.0

°C

Tch

Tstg

150

Range of Storage temperature

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Mounted on a ceramic board

−55 to +150

zThermal resistance

Parameter

Channel to ambient

Symbol

Rth (ch-a)^∗

Limits

125

Unit

°C / W

∗ Mounted on a ceramic board

Rev.A

1/4

12 3 4 5

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