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CPH3351-TL-H

更新时间： 2024-01-01 04:37:05

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		开关通用开关
页数	文件大小	规格书
7页	541K
描述
General-Purpose Switching Device Applications

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CPH3351-TL-H 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	not_compliant
Factory Lead Time：	7 weeks	风险等级：	1.43
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	1.8 A	最大漏源导通电阻：	0.25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CPH3351-TL-H 数据手册

CPH3351

Ordering number : ENA1880A

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

P-Channel Silicon MOSFET

General-Purpose Switching Device

Applications

CPH3351

Features

•

ON-resistance R (on)1=190m (typ.)

•

4V drive

Halogen free compliance

Protection diode in

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

--60

±20

--1.8

--7.2

DSS

GSS

Drain Current (Pulse)

PW 10 s, duty cycle 1%

≤

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

When mounted on ceramic substrate (900mm²0.8mm)

°C

Tch

150

Tstg

--55 to +150

Package Dimensions

unit : mm (typ)

Product & Package Information

• Package

: CPH3

7015A-004

• JEITA, JEDEC

: SC-59, TO-236, SOT-23

• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel

CPH3351-TL-H

Packing Type: TL

Marking

2.9

0.15

0.05

0.95

1 : Gate

2 : Source

3 : Drain

0.4

Electrical Connection

SANYO : CPH3

http://semicon.sanyo.com/en/network

60612 TKIM/D0810PE TKIM TC-00002526

No. A1880-1/7

12 3 4 5 6 7

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