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CPH3355

更新时间： 2024-02-27 04:31:05

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三洋 - SANYO		开关通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	380K
描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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CPH3355 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	not_compliant
Factory Lead Time：	7 weeks	风险等级：	1.47
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	0.156 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CPH3355 数据手册

CPH3355

Ordering number : ENA1905

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

P-Channel Silicon MOSFET

General-Purpose Switching Device

Applications

CPH3355

Features

•

ON-resistance R (on)1=120m (typ.)

4V drive

Halogen free compliance

•

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

--30

±20

--2.5

--10

DSS

GSS

Drain Current (Pulse)

PW 10 s, duty cycle 1%

≤

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

When mounted on ceramic substrate (900mm²0.8mm)

°C

Tch

150

Tstg

--55 to +150

Package Dimensions

unit : mm (typ)

Product & Package Information

• Package

: CPH3

7015A-004

• JEITA, JEDEC

: SC-59, TO-236, SOT-23

• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel

2.9

0.15

0.05

Packing Type: TL

Marking

0.95

1 : Gate

0.4

2 : Source

3 : Drain

Electrical Connection

SANYO : CPH3

http://semicon.sanyo.com/en/network

No. A1905-1/4

D2210PE TKIM TC-00002536

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