型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD25304W1015 | TI |
功能相似 ![]() |
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex |
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型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD25302Q2 | TI |
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P-Channel NexFET? Power MOSFET |
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CSD25303W1015 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET |
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CSD25304W1015 | TI |
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex |
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CSD25304W1015T | TI |
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex |
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CSD25310Q2 | TI |
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CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs |
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CSD25310Q2T | TI |
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采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFE |
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CSD25401Q3 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFETs |
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CSD25402Q3A | TI |
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20 V P-Channel NexFET Power MOSFET |
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CSD25402Q3A_16 | TI |
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20 V P-Channel NexFET Power MOSFET |
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CSD25402Q3A_V01 | TI |
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CSD25402Q3A â20 V P-Channel NexFET⢠Power |
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