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CSD25201W15

更新时间： 2024-09-28 12:43:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
9页 323K
描述
P-Channel NexFET™ Power MOSFET

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CSD25201W15 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：GRID ARRAY, S-PBGA-B9针数：9
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：8
Samacsys Description：P-Channel Power MOSFET配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：0.07 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-PBGA-B9
元件数量：1端子数量：9
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：BALL
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

CSD25201W15 数据手册

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CSD25201W15  
www.ti.com  
SLPS269A –JUNE 2010–REVISED JULY 2011  
P-Channel NexFET™ Power MOSFET  
Check for Samples: CSD25201W15  
PRODUCT SUMMARY  
Drain to Drain Voltage  
1
FEATURES  
VDS  
Qg  
–20  
4.3  
V
•
•
•
•
•
•
•
Low Resistance  
Gate Charge Total (–4.5V)  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
mΩ  
V
Small Footprint 1.5-mm × 1.5-mm  
Gate ESD Protection –3kV  
Pb Free  
RoHS Compliant  
Halogen Free  
Qgd  
Gate Charge Gate to Drain  
Drain to Source On Resistance  
Threshold Voltage  
0.7  
VGS = –1.8V  
VGS = –2.5V  
VGS = –4.5V  
–0.7  
52  
42  
33  
RDS(on)  
VGS(th)  
Gate-Source Voltage Clamp  
Text Added For Spacing  
ORDERING INFORMATION  
APPLICATIONS  
Device  
CSD25201W15  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
•
•
Battery Management  
Battery Protection  
1.5-mm × 1.5-mm  
Wafer Level Package  
7-Inch  
Reel  
Tape and  
Reel  
3000  
DESCRIPTION  
Text Added For Spacing  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
The device has been designed to deliver the lowest  
on resistance and gate charge in the smallest outline  
possible with excellent thermal characteristics in an  
ultra low profile. Low on resistance coupled with the  
small footprint and low profile make the device ideal  
for battery operated space constrained applications.  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
UNIT  
V
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
–20  
–6  
4
V
Continuous Drain Current(1)(2)  
Pulsed Drain Current(1)(2)  
Continuous Gate Current(1)(2)  
Pulsed Gate Current(1)(2)  
Power Dissipation(1)  
A
ID  
4
A
Top View  
Symbol  
0.5  
7
A
Pin A1 Indicator  
IG  
A
Source  
PD  
TJ,  
1.5  
W
G
D
D
D
D
S
S
S
S
Operating Junction and Storage  
TSTG Temperature Range  
–55 to 150  
°C  
Gate  
(1) Based on Min Cu footprint  
(2) Ball limited  
Drain  
P0117-01  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
4.5  
4
ID = -2A  
ID = -2A  
VDS = -10V  
3.5  
3
TJ = 125°C  
2.5  
2
1.5  
1
TJ = 25°C  
0.5  
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
-VGS - Gate-to-Source Voltage - V  
Qg - Gate Charge - nC  
G006  
G003  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2010–2011, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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