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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CSD25211W1015
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CSD25211W1015

更新时间： 2024-01-27 20:32:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 787K
描述
P-Channel NexFET? Power MOSFET

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CSD25211W1015 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：1.69
Is Samacsys：N配置：Single
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.2 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XBGA-B6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
工作模式：-0.8最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

CSD25211W1015 数据手册

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CSD25211W1015  
www.ti.com  
SLPS296 –FEBRUARY 2012  
P-Channel NexFET™ Power MOSFET  
Check for Samples: CSD25211W1015  
1
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low On Resistance  
Ultra Low Qg and Qgd  
Small Footprint 1.0mm x 1.5mm  
Low Profile 0.62mm Height  
Pb Free  
TA = 25°C unless otherwise stated  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
VDS  
Qg  
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (-4.5V)  
Gate Charge Gate to Drain  
-20  
3.4  
0.2  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
VGS = -2.5V  
VGS = -4.5V  
-0.8  
36  
27  
RDS(on)  
VGS(th)  
Drain to Source On Resistance  
Voltage Threshold  
Gate-Source Voltage Clamp  
Gate ESD Protection - 3KV  
RoHS Compliant  
ORDERING INFORMATION  
Halogen Free  
Device  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
1 × 1.5 Wafer  
Level Package  
Tape and  
Reel  
CSD25211W1015  
7-inch reel  
3000  
APPLICATIONS  
•
•
•
Battery Management  
Load Switch  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
TA = 25°C unless otherwise stated  
VALUE  
-20  
-6  
UNIT  
V
Battery Protection  
VDS  
VGS  
ID  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
DESCRIPTION  
Continuous Drain Current, TA = 25°C(1)  
Pulsed Drain Current, TA = 25°C(2)  
Continuous Drain Current, TA = 25°C  
Pulsed Drain Current  
-3.2  
-9.5  
-0.5  
-7  
A
The device has been designed to deliver the lowest  
on resistance and gate charge in the smallest outline  
possible with excellent thermal characteristics in an  
ultra low profile.  
IDM  
A
A
IG  
A
PD  
Power Dissipation(1)  
1
W
TSTG Storage Temperature Range  
TJ Operating Junction Temperature Range  
Top View  
–55 to 150  
°C  
(1) Typical RθJA = 119°C/W on 1 inch2 of 2 oz. Cu on 0.06" thick  
FR4 PCB.  
(2) Pulse width ≤10µs, duty cycle ≤2%  
RDS(ON) vs VGS  
Gate Charge  
100  
6
ID = 1.5A  
ID = 1.5A  
VDD = 10V  
5
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
4
3
2
1
0
20  
TC = 25°C  
TC = 125ºC  
10  
0
0
1
2
3
4
5
6
0
2
4
Qg - Gate Charge - nC (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage - V  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2012, Texas Instruments Incorporated  
 
 
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CSD25211W1015 替代型号

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