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CSD25202W15

更新时间： 2023-09-03 20:36:07

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
17页	1380K
描述
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD25202W15 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GRID ARRAY, S-XBGA-B9
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	2.24
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	0.052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	27 pF
JESD-30 代码：	S-XBGA-B9	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	9	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD25202W15 数据手册

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CSD25202W15

ZHCSCK4A –JUNE 2014–REVISED JULY 2014

CSD25202W15 20V P 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体

管 (MOSFET)

1 特性

产品概要

•

低电阻

T_A= 25°C

典型值

-20

单位

小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm

栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV

无铅

V_DS

Q_g

漏源电压

栅极电荷总量 (-4.5V)

5.8

mΩ

Q_gd

栅漏栅极电荷

0.8

V_GS= -1.8V

符合 RoHS 环保标准

无卤素

R_DS(on)漏源导通电阻

V_GS(th)阀值电压

V_GS= -2.5V

V_GS= -4.5V

栅 - 源电压钳位

-0.75

2 应用范围

订购信息⁽¹⁾

介质

•

电池管理

电池保护

器件

数量

封装

出货

卷带封装

CSD25202W15

CSD25202W15T

3000 7 英寸卷带

1.5mm x 1.5mm

晶圆级封装

250

7 英寸卷带

3 说明

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

这款 21mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散

热特性的 1.5mm × 1.5mm 小外形封装内提供最低的导

通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低

高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行

的空间受限应用。

增加文本，调节间距

最大绝对额定值

T_A= 25°C

值

-20

-6

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流⁽²⁾

持续栅极电流⁽¹⁾

脉冲栅极电流⁽²⁾

功率耗散

-4

Top View

Symbol

I_D

Pin A1 Indicator

-38

-0.5

-7

Source

I_G

P_D

0.5

Gate

T_J，

T_stg

运行结温和

储存温度范围

-55 至 150

°C

Drain

(1) 焊球受限

P0117-01

(2) R_θJA= 220ºC/W（典型值），脉冲持续时间 ≤100µs，占空比 ≤

R_DS(on)与 V_GS间的关系

栅极电荷

4.5

T_C= 25°C,I _D= −2A

T_C= 125°C,I _D= −2A

I_D= −2A

V_DS= −10V

3.5

2.5

1.5

0.5

Q_g- Gate Charge (nC)

−V_GS- Gate-to- Source Voltage (V)

G001

PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas

Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.

English Data Sheet: SLPS508

12 3 4 5 6 7...17

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CSD25202W15 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD25202W15T	TI	类似代替	采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-
CSD25201W15	TI	类似代替	P-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET

与CSD25202W15相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD25202W15T	TI	获取价格	采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-
CSD25211W1015	TI	获取价格	P-Channel NexFET? Power MOSFET
CSD25213W10	TI	获取价格	P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD25301W1015	TI	获取价格	P-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET
CSD25302Q2	TI	获取价格	P-Channel NexFET? Power MOSFET
CSD25303W1015	TI	获取价格	P-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET
CSD25304W1015	TI	获取价格	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex
CSD25304W1015T	TI	获取价格	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex
CSD25310Q2	TI	获取价格	CSD25310Q2, 20 V P-Channel NexFET Power MOSFETs
CSD25310Q2T	TI	获取价格	采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFE

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