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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 5 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CSD25201W15 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET |
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| CSD25202W15 | TI |
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、- |
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| CSD25202W15T | TI |
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、- |
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| CSD25211W1015 | TI |
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P-Channel NexFET? Power MOSFET |
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| CSD25213W10 | TI |
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P-Channel NexFET Power MOSFET |
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| CSD25301W1015 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET |
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| CSD25302Q2 | TI |
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P-Channel NexFET? Power MOSFET |
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| CSD25303W1015 | TI |
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P-Channel NexFET⢠Power MOSFET |
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| CSD25304W1015 | TI |
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex |
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| CSD25304W1015T | TI |
获取价格 |
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 Nex |
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