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BUK9MGP-55PTS

更新时间： 2024-11-23 12:49:59

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恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
20页	358K
描述
Dual TrenchPLUS logic level FET

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BUK9MGP-55PTS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	PLASTIC, SOP-20
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND CURRENT AND KELVIN SENSOR	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16.9 A	最大漏极电流 (ID)：	0.00916 A
最大漏源导通电阻：	0.0279 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	163 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
湿度敏感等级：	3	元件数量：	2
端子数量：	20	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	5.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9MGP-55PTS 数据手册

BUK9MGP-55PTS

Dual TrenchPLUS logic level FET

Rev. 01 — 14 May 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual N-channel enhancement mode field-effect power transistor in SO20. Device is

manufactured using NXP High-Performance (HPA) TrenchPLUS technology, featuring

very low on-state resistance, integrated current sensing transistors and over temperature

protection diodes.

1.2 Features and benefits

Integrated current sensors

Integrated temperature sensors

1.3 Applications

Lamp switching

Power distribution

Solenoid drivers

Motor drive systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

Static characteristics, FET1

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 5 V; I_D= 10 A;

T_j= 25 °C; see Figure 23;

see Figure 25

8.6

mΩ

I_D/I_senseratio of drain current T_j= 25 °C; V_GS= 5 V; see

8100 9000 9900 A/A

to sense current

Figure 27

V_(BR)DSSdrain-source

breakdown voltage

V_GS= 0 V; I_D= 250 µA;

T_j= 25 °C

Static characteristics, FET2

R_DSon

drain-source

V_GS= 5 V; I_D= 5 A;

T_j= 25 °C; see Figure 24;

see Figure 26

21.3 25

mΩ

on-state resistance

I_D/I_senseratio of drain current T_j= 25 °C; V_GS= 5 V; see

5910 6570 7227 A/A

to sense current

Figure 28

V_(BR)DSSdrain-source

breakdown voltage

V_GS= 0 V; I_D= 250 µA;

T_j= 25 °C

12 3 4 5 6 7...20

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与BUK9MGP-55PTS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9MGP-55PTS,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SMD, 1
BUK9MHH-65PNN	NXP	获取价格	15000mA, 65V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013, S
BUK9MJJ-55PTT	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET
BUK9MJJ-55PTT,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SMD, 1
BUK9MJJ-65PLL	NXP	获取价格	11600mA, 65V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013, S
BUK9MLL-55PLL	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET
BUK9MNN-65PKK	NXP	获取价格	7.1A, 65V, 0.0398ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013,
BUK9MNN-65PKK,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9MPP-55PRR	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET
BUK9MPP-55PRR,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SMD, 1

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