Datasheet > BUK9MPP-55PRR

BUK9MPP-55PRR

更新时间： 2024-11-23 06:44:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	250K
描述
Dual TrenchPLUS logic level FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK9MPP-55PRR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	PLASTIC, SOP-20
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9.16 A
最大漏极电流 (ID)：	9.16 A	最大漏源导通电阻：	0.0279 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	127 pF
JEDEC-95代码：	MS-013AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
湿度敏感等级：	3	元件数量：	2
端子数量：	20	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.9 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

BUK9MPP-55PRR 数据手册

BUK9MPP-55PRR

Dual TrenchPLUS logic level FET

Rev. 01 — 14 May 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual N-channel enhancement mode field-effect power transistor in SO20. Device is

manufactured using NXP High-Performance (HPA) TrenchPLUS technology, featuring

very low on-state resistance, integrated current sensing transistors and over temperature

protection diodes.

1.2 Features and benefits

Integrated current sensor

Integrated temperature sensor

1.3 Applications

Lamp switching

Power distribution

Solenoid drivers

Motor drive systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol Parameter

Static characteristics, FET1 and FET2

Quick reference

Conditions

Min

Typ

Max Unit

R_DSon

drain-source

on-state resistance

V_GS= 5 V; I_D= 5 A;

T_j= 25 °C; see Figure 16;

see Figure 17

21.3 25

mΩ

I_D/I_senseratio of drain current T_j= 25 °C; V_GS= 5 V; see

5130 5700 6270 A/A

to sense current

Figure 18

V_(BR)DSSdrain-source

breakdown voltage

T_j= 25 °C; V_GS= 0 V;

I_D= 250 µA

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

与BUK9MPP-55PRR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9MPP-55PRR,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SMD, 1
BUK9MRR-65PKK	NXP	获取价格	4.8A, 65V, 0.0746ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013,
BUK9MRR-65PKK,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9MTT-65PBB	NXP	获取价格	3.8A, 65V, 0.1115ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013,
BUK9MTT-65PBB,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9V13-40H	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)Pro
BUK9Y07-30B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9Y07-30B,115	ETC	获取价格	MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
BUK9Y09-40B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9Y09-40B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction

与BUK9MPP-55PRR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

36
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

28
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

56
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

53

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9MPP-55PRR

BUK9MPP-55PRR 技术参数

BUK9MPP-55PRR 数据手册

与BUK9MPP-55PRR相关器件

与BUK9MPP-55PRR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9MPP-55PRR

BUK9MPP-55PRR 技术参数

BUK9MPP-55PRR 数据手册

与BUK9MPP-55PRR相关器件

与BUK9MPP-55PRR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？