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BUK9MRR-65PKK

更新时间： 2024-11-23 21:14:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
17页	199K
描述
4.8A, 65V, 0.0746ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013, SOP-20

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BUK9MRR-65PKK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G20
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	65 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT AND KELVIN SENSOR
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	4.8 A
最大漏源导通电阻：	0.0746 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-013AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
湿度敏感等级：	3	元件数量：	2
端子数量：	20	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9MRR-65PKK 数据手册

BUK9MRR-65PKK

Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET

Rev. 02 — 17 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual N-channel enhancement mode field-effect power transistor in SO20. Device is

manufactured using NXP High-Performance (HPA) TrenchPLUS technology, featuring

very low on-state resistance, integrated current sensing transistors and over temperature

protection diodes.

1.2 Features and benefits

 Integrated current sensors

 Integrated temperature sensors

1.3 Applications

 Lamp switching

 Power distribution

 Solenoid drivers

 Motor drive systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter Conditions

Min Typ Max Unit

FET1 and FET2 static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state

V_GS= 5 V; I_D= 3 A; T_j= 25 °C;

see Figure 16; see Figure 15

mΩ

resistance

I_D/I_sense

ratio of drain

current to sense

current

T_j= 25 °C; V_GS= 5 V;

see Figure 17

1766 1962 2158 A/A

V_(BR)DSS

drain-source

breakdown

voltage

I_D= 250 µA; V_GS= 0 V;

T_j= 25 °C

12 3 4 5 6 7...17

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与BUK9MRR-65PKK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9MRR-65PKK,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9MTT-65PBB	NXP	获取价格	3.8A, 65V, 0.1115ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013,
BUK9MTT-65PBB,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9V13-40H	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)Pro
BUK9Y07-30B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9Y07-30B,115	ETC	获取价格	MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
BUK9Y09-40B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9Y09-40B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9Y09-40B,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
BUK9Y104-100B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET

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