5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 9.4 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.107 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 47 A | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9Y107-80EX | NXP |
获取价格 |
BUK9Y107-80E - N-channel 80 V, 107 mΩ logic l |
|
| BUK9Y11-30B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9Y11-30B,115 | NXP |
获取价格 |
BUK9Y11-30B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin |
|
| BUK9Y113-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V, 113 mΩ logic level MOSFET i |
|
| BUK9Y113-100E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 113 mΩ logic level MOSFET in |
|
| BUK9Y11-80E | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V, 11 mΩ logic level MOSFET in |
|
| BUK9Y11-80E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 80 V, 11 mΩ logic level MOSFET in L |
|
| BUK9Y12-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V, 12 mΩ logic level MOSFET in |
|
| BUK9Y12-100E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 100 V, 12 mΩ logic level MOSFET in |
|
| BUK9Y12-40E | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V, 12 mΩ logic level MOSFET in |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
