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BUK9Y19-55B

更新时间： 2023-09-03 20:29:01

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安世 - NEXPERIA		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	734K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction

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BUK9Y19-55B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BUK9Y19-55B 数据手册

BUK9Y19-55B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 03 — 29 February 2008

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a

plastic package using Nexperia High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS

technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC

standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features

175 °C rated

Logic level compatible

Q101 compliant

Very low on-state resistance

1.3 Applications

12 V and 24 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1 and 4

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 20 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12 and

16.3 19

mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

drain-source

I_D= 46 A; V_sup≤ 55 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

avalanche energy

12 3 4 5 6 7...12

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BUK9Y19-55B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK9Y19-55B,115	NXP	功能相似	N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin

与BUK9Y19-55B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9Y19-55B,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
BUK9Y19-55BT/R	NXP	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,46A I(D),SOT-669
BUK9Y19-75B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9Y19-75B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FETProduction
BUK9Y19-75B,115	NXP	获取价格	BUK9Y19-75B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
BUK9Y1R3-40H	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 1.3 mΩ logic level MOSFET in
BUK9Y1R6-40H	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 1.6 mΩ logic level MOSFET in
BUK9Y1R9-40H	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 1.9 mΩ logic level MOSFET in
BUK9Y21-40E	NXP	获取价格	N-channel 40 V, 21 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y21-40E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 21 mΩ logic level MOSFET in L