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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 46 A | 最大漏源导通电阻： | 0.021 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 184 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUK9Y19-55B,115 | NXP |
功能相似  |
N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9Y19-55B,115 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin |
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| BUK9Y19-55BT/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,46A I(D),SOT-669 |
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| BUK9Y19-75B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
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| BUK9Y19-75B | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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| BUK9Y19-75B,115 | NXP |
获取价格 |
BUK9Y19-75B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin |
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| BUK9Y1R3-40H | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 1.3 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y1R6-40H | NEXPERIA |
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N-channel 40 V, 1.6 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y1R9-40H | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 1.9 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y21-40E | NXP |
获取价格 |
N-channel 40 V, 21 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y21-40E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 40 V, 21 mΩ logic level MOSFET in L |
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