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BUK9Y19-55BT/R

更新时间： 2024-11-23 12:58:31

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
12页	101K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,55V V(BR)DSS,46A I(D),SOT-669

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BUK9Y19-55BT/R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	46 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	85 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BUK9Y19-55BT/R 数据手册

BUK9Y19-55B

N-channel TrenchMOS™ logic level FET

M3D748

Rev. 01 — 28 May 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Very low on-state resistance

■ 175 °C rated

■ Q101 compliant

■ Logic level compatible.

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ 12 V and 24 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 91 mJ

■ I_D≤ 40 A

■ R_DSon= 16.3 mΩ (typ)

■ P_tot≤ 75 W.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT669 (LFPAK) simpliﬁed outline and symbol

Description

source (s)

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

1,2,3

mounting base,

connected to

drain (d)

MBL798

s1 s2 s3

Top view

MBL286

SOT669 (LFPAK)

12 3 4 5 6 7...12

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