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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 69 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 274 A | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9Y153-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V, 153 mΩ logic level MOSFET i |
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| BUK9Y153-100E | NEXPERIA |
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N-channel 100 V, 153 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y15-60E | NXP |
获取价格 |
N-channel 60 V, 15 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y15-60E | NEXPERIA |
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N-channel 60 V, 15 mΩ logic level MOSFET in L |
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| BUK9Y15-60E,115 | NXP |
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BUK9Y15-60E - N-channel 60 V, 15 mΩ logic lev |
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| BUK9Y19-100E | NXP |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| BUK9Y19-100E | NEXPERIA |
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N-channel 100 V, 19 mΩ logic level MOSFET in |
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| BUK9Y19-100E,115 | ETC |
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MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK |
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| BUK9Y19-55B | NXP |
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N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET |
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| BUK9Y19-55B | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
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