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BUK9Y11-30B

更新时间： 2024-02-02 10:31:33

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恩智浦 - NXP		/
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12页	89K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

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BUK9Y11-30B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	112 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	59 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	239 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK9Y11-30B 数据手册

BUK9Y11-30B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 01 — 30 August 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package

using NXP High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.

1.2 Features

I Very low on-state resistance

I Q101 compliant

I 175 °C rated

I Logic level compatible

1.3 Applications

I Automotive systems

I General purpose power switching

I 12 V loads

I Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

I E_DS(AL)S≤ 112 mJ

I I_D≤ 59 A

I R_DSon= 9.3 mΩ (typ)

I P_tot≤ 75 W

2. Pinning information

Table 1.

Pinning

Description

Simpliﬁed outline

Symbol

1, 2, 3 source (S)

gate (G)

mounting base; connected to drain (D)

2 3 4

mbl798

S1 S2 S3

SOT669 (LFPAK)

12 3 4 5 6 7...12

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BUK9Y11-30B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PSMN012-60YS	NXP	类似代替	N-channel LFPAK 60 V, 11.1 mΩ standard level

与BUK9Y11-30B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9Y11-30B,115	NXP	获取价格	BUK9Y11-30B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
BUK9Y113-100E	NXP	获取价格	N-channel 100 V, 113 mÎ© logic level MOSFET i
BUK9Y113-100E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 113 mΩ logic level MOSFET in
BUK9Y11-80E	NXP	获取价格	N-channel 80 V, 11 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y11-80E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V, 11 mΩ logic level MOSFET in L
BUK9Y12-100E	NXP	获取价格	N-channel 100 V, 12 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y12-100E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 12 mΩ logic level MOSFET in
BUK9Y12-40E	NXP	获取价格	N-channel 40 V, 12 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y12-40E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 40 V, 12 mΩ logic level MOSFET in L
BUK9Y12-55B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET

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