Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK9Y104-100B

BUK9Y104-100B

更新时间： 2024-11-26 06:44:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	187K
描述
N-channel TrenchMOS logic level FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK9Y104-100B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, LFPAK-4	针数：	235
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	雪崩能效等级（Eas）：	35 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	14.8 A
最大漏源导通电阻：	0.107 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MO-235	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	59 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9Y104-100B 数据手册

BUK9Y104-100B

N-channel TrenchMOS logic level FET

Rev. 04 — 7 April 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Suitable for logic level gate drive

on-state resistance

sources

Q101 compliant

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Automotive systems

DC-to-DC converters

General purpose power switching

Solenoid drivers

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

100

14.8

I_D

drain current

V_GS= 5 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C

mΩ

on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C;

see Figure 11; see Figure 12

104 mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 14.8 A; V_sup≤ 100 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 5 V;

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge V_GS= 5 V; I_D= 5 A;

V_DS= 80 V; see Figure 13

4.7

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

与BUK9Y104-100B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9Y104-100B,115	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
BUK9Y107-80E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V, 107 mΩ logic level MOSFET in
BUK9Y107-80E	NXP	获取价格	N-channel 80 V, 107 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y107-80EX	NXP	获取价格	BUK9Y107-80E - N-channel 80 V, 107 mΩ logic l
BUK9Y11-30B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9Y11-30B,115	NXP	获取价格	BUK9Y11-30B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin
BUK9Y113-100E	NXP	获取价格	N-channel 100 V, 113 mÎ© logic level MOSFET i
BUK9Y113-100E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 100 V, 113 mΩ logic level MOSFET in
BUK9Y11-80E	NXP	获取价格	N-channel 80 V, 11 mÎ© logic level MOSFET in
BUK9Y11-80E	NEXPERIA	获取价格	N-channel 80 V, 11 mΩ logic level MOSFET in L

与BUK9Y104-100B相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9Y104-100B

BUK9Y104-100B 技术参数

BUK9Y104-100B 数据手册

与BUK9Y104-100B相关器件

与BUK9Y104-100B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK9Y104-100B

BUK9Y104-100B 技术参数

BUK9Y104-100B 数据手册

与BUK9Y104-100B相关器件

与BUK9Y104-100B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？