5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 146 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.01 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK9Y09-40B,115 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin |
|
| BUK9Y104-100B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9Y104-100B | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FETProduction |
|
| BUK9Y104-100B,115 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin |
|
| BUK9Y107-80E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel 80 V, 107 mΩ logic level MOSFET in |
|
| BUK9Y107-80E | NXP |
获取价格 |
N-channel 80 V, 107 mΩ logic level MOSFET in |
|
| BUK9Y107-80EX | NXP |
获取价格 |
BUK9Y107-80E - N-channel 80 V, 107 mΩ logic l |
|
| BUK9Y11-30B | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
| BUK9Y11-30B,115 | NXP |
获取价格 |
BUK9Y11-30B - N-channel TrenchMOS logic level FET SOIC 4-Pin |
|
| BUK9Y113-100E | NXP |
获取价格 |
N-channel 100 V, 113 mΩ logic level MOSFET i |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
