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BUK9MNN-65PKK

更新时间： 2024-10-01 21:19:51

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
18页	229K
描述
7.1A, 65V, 0.0398ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013, SOP-20

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BUK9MNN-65PKK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G20
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	165 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT AND KELVIN SENSOR
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (ID)：	7.1 A
最大漏源导通电阻：	0.0398 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	MS-013AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
湿度敏感等级：	3	元件数量：	2
端子数量：	20	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96.6 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9MNN-65PKK 数据手册

BUK9MNN-65PKK

Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET

Rev. 03 — 15 July 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual N-channel enhancement mode field-effect power transistor in SO20. Device is

manufactured using NXP High-Performance (HPA) TrenchPLUS technology, featuring

very low on-state resistance, integrated current sensing transistors and over temperature

protection diodes.

1.2 Features and benefits

Integrated current sensors

Integrated temperature sensors

1.3 Applications

Lamp switching

Power distribution

Solenoid drivers

Motor drive systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

FET1 and FET2 static characteristics

R_DSon

drain-source on-state V_GS= 5 V; I_D= 5 A; T_j= 25 °C;

resistance see Figure 16; see Figure 17

30.6 36

2242 2491 2740 A/A

mΩ

I_D/I_sense

V_(BR)DSS

ratio of drain current to T_j= 25 °C; V_GS= 5 V;

sense current

see Figure 18

drain-source

breakdown voltage

I_D= 250 µA; V_GS= 0 V;

T_j= 25 °C

12 3 4 5 6 7...18

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与BUK9MNN-65PKK相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9MNN-65PKK,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9MPP-55PRR	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET
BUK9MPP-55PRR,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SMD, 1
BUK9MRR-65PKK	NXP	获取价格	4.8A, 65V, 0.0746ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013,
BUK9MRR-65PKK,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9MTT-65PBB	NXP	获取价格	3.8A, 65V, 0.1115ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013,
BUK9MTT-65PBB,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9V13-40H	NEXPERIA	获取价格	Dual N-channel 40 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK56D (half-bridge configuration)Pro
BUK9Y07-30B	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS logic level FET
BUK9Y07-30B,115	ETC	获取价格	MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK

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