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BUK9MHH-65PNN

更新时间： 2024-11-23 21:21:59

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	188K
描述
15000mA, 65V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013, SOP-20

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BUK9MHH-65PNN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G20
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
其他特性：	CURRENT SENSING	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	65 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.0126 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-013AC
JESD-30 代码：	R-PDSO-G20	湿度敏感等级：	3
元件数量：	2	端子数量：	20
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK9MHH-65PNN 数据手册

BUK9MHH-65PNN

Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET

Rev. 03 — 18 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual N-channel enhancement mode field-effect power transistor in SO20. Device is

manufactured using NXP High-Performance Architecture (HPA) TrenchPLUS technology,

featuring very low on-state resistance, integrated current sensing transistors and over

temperature protection diodes.

1.2 Features and benefits

 Integrated current sensors

 Integrated temperature sensors

1.3 Applications

 Lamp switching

 Power distribution

 Solenoid drivers

 Motor drive systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter Conditions

Min Typ Max Unit

FET1 and FET2 static characteristics

R_DSon

drain-source

on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 10 A;

T_j= 25 °C; see Figure 15;

see Figure 16

9.8

11.5 mΩ

I_D/I_sense

ratio of drain

current to sense

current

T_j= 25 °C; V_GS= 5 V;

see Figure 17

6193 6881 7569 A/A

V_(BR)DSS

drain-source

breakdown

voltage

I_D= 250 µA; V_GS= 0 V;

T_j= 25 °C

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK9MJJ-55PTT	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET
BUK9MJJ-55PTT,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SMD, 1
BUK9MJJ-65PLL	NXP	获取价格	11600mA, 65V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013, S
BUK9MLL-55PLL	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET
BUK9MNN-65PKK	NXP	获取价格	7.1A, 65V, 0.0398ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013,
BUK9MNN-65PKK,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM
BUK9MPP-55PRR	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET
BUK9MPP-55PRR,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS logic level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SMD, 1
BUK9MRR-65PKK	NXP	获取价格	4.8A, 65V, 0.0746ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-013AC, PLASTIC, MS-013,
BUK9MRR-65PKK,518	NXP	获取价格	Dual TrenchPLUS FET Logic Level FET, SOT163-1 Package, Standard Markigg, Reel Dry Pack, SM

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