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BSP298E6327

更新时间： 2024-11-06 14:48:31

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英飞凌 - INFINEON		局域网脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	3207K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-4

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BSP298E6327 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.3
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	255
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSP298E6327 数据手册

BSP 298

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche rated

• V

= 2.1 ... 4.0 V

GS(th)

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Pin 4

Type

Package

Marking

V_DS

I_D

R_DS(on)

BSP 298

400 V

0.5 A

SOT-223

BSP 298

Type

Pb-free

Tape and Reel Information

BSP 298

Yes

E6327

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

0.5

Unit

Continuous drain current

T = 26 °C

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Avalanche energy, single pulse

I = 1.35 A, V = 50 V, R = 25

L = 125 mH, T = 25 °C

130

Gate source voltage

Power dissipation

tot

T = 25 °C

1.8

Rev. 2.2 Semiconductor Group

2007-02-26

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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